Hi,
Ganz hab ich es auch net kapiert, hatte mal ne eifachere Erklärung, wenn ich sie wieder finde werde ich sie Posten.
Aber im Grunde sagen die Timings nur aus wie schnell ein Zelle wieder bereit ist um darauf zugegriffen zu werden.
Ich würde mal Behaupten dass die 2x512 MB schneller sind, da schnellere Timings bei gleichem Takt und Dual-Channel (falls sie ihn unterstützen)
gruß
Michael
ps. Multitasking ist ne feine Sache, hab die Erklärung gefunden, steht in der Support-Datei von Nvidia Ntune:
Row Address Strobe (tRAS): Die Zeit zwischen der Aktivierung und Deaktivierung einer Zeile durch eine automatische Precharge. Je geringer dieser Zeitraum, desto höher die Leistung, doch bei einer zu kurzen Zeitspanne kann es zu Datenfehlern kommen.
RAS to CAS Delay (tRCD): Die Zeit in Zyklen, die für die Ausgabe eines aktiven Befehls und die Lese-/Schreib-Befehle benötigt wird.
Speicherbank-Schalter (Memory Bank Switch (tRP)): Dies ist die Zeit, die zwischen aktiven Befehlen und den Lese-/Schreib-Befehlen der nächsten Bank auf dem Speichermodul mindestens vergeht.
Row Cycle Time (tRC): Die Mindestdauer in Zyklen, die für die Absolvierung eines vollen Zyklus durch eine Zeile notwendig ist. Dies kann folgendermaßen bestimmt werden: tRC = tRAS + tRP. Ist dies zu kurz eingestellt, kann es zu fehlerhaften Daten kommen, ist es zu hoch eingestellt, tritt eine Leistungsminderung auf, die Stabilität ist jedoch erhöht.
Schreib-Wiederherstellungszeit (Write Recovery Time (tWR)): Speicher-Timing, das die Dauer der Verzögerung zwischen einem Schreib-Befehl und einem Precharge-Befehl festlegt, wird für dieselbe Speicher-Bank definiert.
RAS to RAS Delay (tRRD): Die Anzahl der Zyklen, die für die Aktivierung der nächsten Speicher-Bank notwendig sind. Dabei handelt es sich um das Gegenteil von tRAS. Je niedriger das Timing, desto höher die Leistung, aber auch die Möglichkeit von Instabilität.
Lese-zu-Schreib-Verzögerung (Read to Write Delay (tRWT)): Beim Eingang eines Schreibbefehls handelt es sich um die Anzahl der Zyklen, bis der Befehl ausgeführt wird.
Schreib-zu-Lese-Verzögerung (Write to Read Delay (tWTR)): Die Anzahl der Zyklen, die zwischen einem gültigen Schreibbefehl und dem nächsten Lesebefehl benötigt werden. Ein niedriger Wert sorgt für bessere Leistung, kann aber zu Instabilität führen.
Schreib-zu-Lese-Zeit (Write to Read Time (tWRRD)): Die Anzahl der Taktzyklen zwischen dem letzten Schreib-Datenpaar und dem folgenden LESE-Befehl an dieselbe physische Bank.
Schreib-zu-Schreib-Zeit (Write to Write Time (tWRWR)): Die Anzahl der Taktzyklen zwischen dem letzten Schreib-Befehl und dem folgenden SCHREIB-Befehl an dieselbe physische Bank.
Lese-zu-Lese-Zeit (Read to Read Time (tRDRD)): Die Anzahl der Taktzyklen zwischen dem letzten Lese-Befehl und dem folgenden LESE-Befehl an dieselbe physische Bank.
Refresh Timing (tREF): Die Zeit zwischen der Aktivierung und Deaktivierung einer Zeile durch eine automatische Precharge. Gemessen in Mikrosekunden (µsec)
Damien hat geschrieben:6-6-6-18
CAS/tCL - tRCD - tRP - tRAS
@Holger: du hast deinen Beitrag gepostet während ich meinen geschrieben habe habe zu lange gesucht, um alles wieder zu löschen
Der Artikel auf Wikipedia ist mir zu hoch.
Es wird ja auch immer wieder MSI empfohlen, aber mit der Firma hab ich keine Erfahrungen, mit Asus hingegen über viele viele Jahre nur gute. Zuverlässigkeit ist mir beim WHS extrem wichtig, daher werde ich jetzt auch eher Seagate-HDs nehmen als Samsung.